正電性金屬熒光納米點、制備方法

　　金属纳米荧光材料与以往的小分子染料和荧光蛋白相比，这些荧光纳米材料有着优越的光物理特征、大的比外表积、简单的外表靶向作用以及荧光可调性，使其在生物传感、分子成像、光电子学、纳米医学等土地有着广阔的应用前景，成为科学家注目的焦点。目前，已报道合成多种的金属荧光纳米材料，譬如，这些材料在水溶液中多数显示外表负电性，与生物体中带负点性的基因蛋白质等相互作用较弱，这大大限制了这些纳米材料在基因负载与基因治疗土地的应用。正电性纳米荧光材料是一种公认可以提高基因转染功效的荧光材料。这种材料通过外表正电性配体与负电性的生物基因相作用，同时使用荧光功能作为探针追踪基因的转染行为。目前已有报道合成的正电性纳米材料要紧为两步法(Nanoscale, 2013, 5，6154 - 6160)，合成的方法繁琐且条件相对苛刻，同时在反应过程中需要进入多种配体。因此，探索以简单有效的方法合成水相正电性金属荧光纳米点成为重要的研究方向。

本文提供了一種外表正電性的金屬熒光納米點、制備方法及其在細胞熒光成像方面的應用。此方法具有廣泛性，可以制備多種具有正電性的金屬納米點。第一，在加熱的條件下使用還原劑合成获得尺寸較大的銀納米粒子，以其作爲模版劑，进入一定量的水溶性正電性高分子作爲穩定劑，再进入一定濃度金屬離子，混合均勻，加熱攪拌一段時間，制備出水溶性金屬納米點。離心後將溶液部分用異丙醇沈澱，離心获得固體再用水疏散，最終获得疏散在水溶液中的正電性的金屬納米點

具體制備步驟如下：

I)在浓度为0.0150mmol/L(优选为0.0110mmol/L，进一步优选为0.15mmol/L)的 Ag+离子溶液中(可以是 AgNO 3、CH3C00Ag、AgF、Ag2SOzp AgClO4等的水溶液)，进入还原剂(可以是硼氢化钠、水合肼、柠檬酸钠、抗坏血酸等)，还原剂与Ag+离子的摩尔比为I10:1，加热至80100°C反应10360min(优选为30240min，进一步优选为40120min)，离心取沉淀，获得粒径为6080nm的Ag纳米粒子，接着疏散至水中，Ag纳米粒子的浓度为0.55mmol/L ；

2)在上述反應获得的Ag納米粒子的水溶液中进入金屬鹽(可以是氯金酸、氯鉑酸、氯化钯等)，再进入具有正電性的高分子(可以是聚乙烯亞胺、聚丙烯胺鹽酸鹽、甲殼素等含有氨基的高分子)作爲穩定劑，Ag納米粒子、金屬離子與穩定劑的摩爾比爲10100:50200:1(優選爲3080:50100:1，進一步優選爲3050:6080:1);然後在5090°C油浴下攬摔30min480min(優選爲30min360min，進一步優選爲60min300min)，反應結束後離心，向清液中进入異丙醇(其體積爲溶液體積的210倍)作爲沈澱劑，沈澱後再離心，获得的固體産物即爲金屬納米點。

本文金屬納米點的制備方法具有以下特點:適用性廣泛，可制備多種金屬納米點；納米點尺寸在2nm至3nm可控合成、粒徑均勻、具有優良的熒光發射及外表正電性。制備過程使用水溶性帶正電高分子作爲穩定劑，因此環境汙染小、産物純度高，金屬納米點表現出良好的光學性質和水溶性。另外，此種正電性金屬熒光納米材料制備方法簡單、條件溫和、容易操作、重複性好、可以大批生産。適用于細胞熒光成像和標記、基因負載、轉染和基因治療等領域。